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三星电子将于2023年上半年开始大规模生产第三代4纳米产品
新闻报道
2023年03月14日 03:25 207
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站长之家(ChinaZ.com) 3月13日消息:三星电子将在今年上半年开始大规模生产第三代4纳米芯片，这是代工超微制造工艺领域的主要项目。在稳定产量的同时，三星在性能、功耗和面积方面的技术进步与最初的工艺相比获得了成功，这为韩吸引大型企业客户方面开了绿灯。
根据三星电子3月12日发布的一份商业报告，三星电子将在今年上半年开始通过4纳米2.3代工艺大规模生产芯片。这是三星电子首次提到4纳米后续版本的具体量产时间。
与4纳米芯片的早期版本SF4E相比，第二代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的面积。即使在SF4E芯片商业化之后，三星电子在芯片的产量管理方面经历了巨大的困难，最终将三星电子的最大客户高通公司的订单输给了台积电。
然而，自2022年开始，三星电子的4纳米工艺的良品率走上正轨后，三星电子稳定地提高了其产能。业内人士估计，三星电子的4纳米工艺良率为60%。虽然三星电子的良率还没有达到台积电的良率，据悉台积电的良率在70%-80%之间，但专家表示，其良率正在迅速提高，后续版本的大规模生产也在加速进行。
由于三星电子在解决提高先进工艺的性能和良率等技术难题方面取得了突破性进展，其与台积电的竞争有望在5纳米或更先进芯片的超微制造工艺的大规模生产中升温。
目前，最先进的半导体工艺技术站在3纳米，但主要产品仍在4纳米和5纳米芯片上。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，截至去年第三季度，4和5纳米工艺占销售额的22%，是最高的，超过了6和7纳米工艺（16%）以及16、14和12纳米工艺(11%)。
台积电计划在其亚利桑那州凤凰城的工厂大规模生产4纳米芯片，计划于2024年投入运营。三星电子也在其位于德克萨斯州泰勒的代工工厂建设一条4纳米生产线，目标是在2024年下半年开始运营。
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